第330章 智慧城市计划（3/5）

“周部长，你实话跟我说，若是有一种新的工艺打破cmos、gan、soi三种工艺的封锁，以国内的光刻机技术，能不能达到7nm。”

“你前几天研究出了新的技术了？”

周正峰脸色极其严肃，一瞬间他想到了前几天陈诺的研究。

“你先别管我研究没演技出来，你先回答我的问题。”

“能，也不能！”

周正峰沉思了一下。

“中科院微电子研究院用聚电解质制成的聚合物电解质“肥皂泡”作为模板，用激光照射，也得到了的极紫外光源，14nm的技术倒是很稳定了，但7nm的不稳定，成功率极差。”

“还有镜片，我们目前精度达不到，实验室倒是有几块前几年从汉斯国进口的，但只能在实验室用，所以即便我们光源达到了极紫外光源，芯片还是卡在28nm，无法量产14nm的芯片。”

“即便是有新的制程工艺，我们预计也会卡在7nm上，因为我们没有高精度的双工作台。”

陈诺也是有些意外，没想到国内竟然在光刻机的光源上突破了，若不是他问，估计到官宣的那一天他才知道。

“行吧，凑合用吧！”

“什么意思？”

“前几天我研究那台光刻机的时候，我发现平面结构mos，可以改三维结构，我称之为finfet，这种结构能有效控制泄漏……